近日，中关村发展集团投资企业晶飞半导体在激光剥离金刚石材料领域取得重大技术突破。基于在激光剥离碳化硅加工领域长期的技术积累，晶飞半导体自主研发的激光剥离金刚石设备成功实现了2英寸单晶和3英寸多晶金刚石激光剥离，标志着晶飞半导体在金刚石高精度激光加工装备领域取得重要进展。 

针对金刚石材料特性及产业化加工需求，晶飞半导体持续开展激光精密加工技术研发，成功开发出适用于金刚石材料加工激光剥离技术体系。金刚石激光剥离设备满足剥离厚度100-1500μm可调，最薄可剥离100μm。设备可满足不同应用场景下金刚石薄层制备需求，为金刚石晶圆化、薄膜转移及高性能器件应用提供关键装备支撑。

目前，晶飞半导体已完成多家客户单晶/多晶金刚石激光剥离验证。对于1英寸金刚石剥离，损耗可小于80μm（上剥离面50μm，下剥离面30μm），加工时间小于15min。随着新能源汽车、人工智能算力、高频通信、航空航天及先进功率电子等产业快速发展，高性能半导体材料和先进制造装备需求持续增长。金刚石凭借其独特材料优势，有望成为未来半导体产业的重要发展方向，而高效率、高精度激光剥离技术将为其规模化应用提供新的制造路径。

聚焦半导体产业赛道，集团发起中关村C20半导体金种子企业成长营，依托自身半导体产业链优势创新资源，为企业制定有针对性的成长方案。2025年，晶飞半导体凭借在碳化硅激光剥离领域高效率、高精度的技术领先性，成功入选中关村C20半导体金种子企业成长营，同年获得集团投资。集团充分发挥集成服务优势，通过投资、共性技术、供应链协同、管理培训等一系列赋能服务，全方位助力企业创新突破，为企业发展注入强劲动能。